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第三届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED)成功召开
2019-06-03 | 编辑: | 【 】【打印】【关闭

  530~31日,由中科院新疆理化所联合模拟集成电路国家重点实验室和哈尔滨工业大学共同主办的第三届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED 2019)在重庆召开,来自中、美、俄、法、意、加等10个国家的180余位专家学者参加大会并进行了交流。新疆理化所固体辐射物理研究室主任郭旗研究员做了题为Radiation Effects and Radiation Testing on Bipolar Devices的主旨报告,得到了与会嘉宾的一致肯定。

  会议设电子元器件及材料辐射效应和损伤机理、光电器件和电路辐射效应、抗辐射加固方法和测试技术、空间系统新概念四个分会场,围绕材料、器件、电路及电子系统的辐射效应、测试方法、加固技术和评估方法展开了充分交流和讨论。

  此次国际会议成功举办,对促进电子元器件辐射效应领域专家学者的交流和国际合作起到了积极的推动作用。ICREED已成为国际辐射效应领域继美国NSREC和欧洲RADECS又一个重要的学术交流平台。

郭旗研究员作主题报告

  

  

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