姓 名: 孙静
性 别:
职 务:
职 称: 研究室(自然科学)
通讯地址: 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码: 830011
电子邮件: sunjing@ms.xjb.ac.cn

简历:

  孙静,女,博士,研究员,研究生导师,新疆核学会秘书长,《辐射研究与辐射工艺学报》编委。主要从事空间辐射环境探测技术、电子元器件辐射效应及机理研究。20087月入职十大网赌网址新世纪-网赌平台安全正规固体辐射物理研究室。

主要研究领域及成就:

主要从事空间辐射环境探测技术、电子元器件辐射效应及机理研究。主持国家自然科学青年基金、联合基金(NSAF)、面上项目、中科院西部之光B类人才项目、中科院西部学者项目等,并参与973、预研基金、HGJ等多个国家重要科研项目。在国内外期刊及会议上发表论文30余篇,获中国发明专利7项。研制的高性能PMOS辐射剂量计,成功应用于 风云北斗实践等系列卫星的环境探测分系统。自主研制的集成化空间辐射剂量计,成功搭载于国内某卫星的元器件考核仪项目,在轨飞行性能状态良好,并获得该卫星轨道的辐射剂量分布数据。

主要荣誉:

1、新疆维吾尔自治区“科技进步一等奖”3项(2014年度(11/12)、2015年度(7/12,20228/12))

2、自治区天山英才工程培养人选(2017年)

代表性文章:

1、Sun Jing Guo QiYu Xinet al.Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector Radiation Physics and Chemistry201713911-16.

2、Jing Sun Jing Wei Cui Qi Wen Zheng Enhanced Low Dose Rate Sensitivity(ELDRS) observed in 400nm Implanted Gate Oxide RADFET Sensor , The RADECS Workshop 2018 and ICREED’18. May 16-18

3、孙静,郭旗,郑齐文, 崔江维,何承发,刘海涛等.基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究,核技术, 2019, 42(12):120510.

 

4、孙静,陆妩,邓伟,郭旗,余学峰,何承发.辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响.,核技术,201639(2): 020203-1-6.

5、马函,孙静,何承发,. 高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2175-2182. DOI: 10.7538/yzk.2021.youxian.0536.

6、马函,孙静,何承发,等.质子辐照对RADFETsγ辐照剂量响应的影响研究[J].核技术,2022,45(1):37-43. DOI: 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.010203.

7 、Lan Bo, Guo QI, Sun Jing, ea al., Dose rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors at various biasing conditions. Journal of Semiconductors [J]. 2010,31(5):

代表性专利:

1、一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法,ZL201611177450.3

2、基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法,ZL201410629535.5

3、一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法,ZL201410210427.4

4、一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统,ZL201410212545.9

研究领域:

 空间辐射环境探测技术及装备研究、电子元器件辐射效应与损伤机理研究

研究领域: