姓 名: 崔江维
性 别:
职 务:
职 称: 研究员(自然科学)
通讯地址: 新疆乌鲁木齐市新市区科学二街181号
邮政编码: 830011
电子邮件: cuijw@ms.xjb.ac.cn

简历:

2019/11-至今 十大网赌网址新世纪-网赌平台安全正规,研究员

2012/11-2019/10 十大网赌网址新世纪-网赌平台安全正规,副研究员

2012/07-2012/10十大网赌网址新世纪-网赌平台安全正规,助理研究员

2007/09-2012.06,中国科学院大学,微电子学与固体电子学专业,博士学位

2002/09-2006/07,西安理工大学,电子科学与技术专业,学士学位

主要研究领域及成就:

主要从事CMOS器件辐射效应研究,研究成果已应用于本领域主要器件研制单位、工程单位、科研单位,为CMOS器件设计及评估提供了支撑。主持完成了国家自然科学基金等科研项目10余项;公开发表数据库收录论文80余篇,其中SCI/EI收录60余篇;授权发明专利1项。

主要荣誉:

2021年度新疆维吾尔自治区科技进步一等奖(第一完成人)

2015年度新疆维吾尔自治区科技进步一等奖(第九完成人)

第八届中国电子学会优秀科技工编辑

代表性文章:

[1] Qiwen Zheng, Jiangwei Cui*, Xuefeng Yu, Yudong Li, Wu Lu, Chengfa He, Qi Guo, Impact of TID on within-wafer variability of Radiation Hardened SOI Wafers, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2021, 68(7): 1423-1429, SCI

[2] Xu Cui, Jiangwei Cui, Qiwen Zheng, Ying Wei, Yudong Li, Qi Guo, Bias Dependence of Total Ionizing Dose Effects in 22 nm Bulk nFinFETs, Radiation Effects and Defects in Solids, 2022, online

[3] Qiwen Zheng, Jiangwei Cui*, Ying Wei, Xuefeng Yu, Wu Lu, Diyuan Ren, Qi Guo, Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs, CHIN. PHYS. LETT, 2018, 35(4): 046102-1-4, SCI

[4] 崔江维,余学峰,任迪远,卢健,沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响,物理学报,2012, 61(2): 026102, SCI

[5] Jiangwei Cui, Xuefeng Yu, Diyuan Ren, Relationship between silicon-on-insulator kink and radiation effects, International Journal of Modern Physics E, 2011, 20(6): 1409-1417, SCI

[6] Baoshun Wang, Jiangwei Cui*, Qi Guo, Qiwen Zheng, Ying Wei, Shanxue Xi, The influence of total ionizing dose on the hot carrier injection of 22 nm bulk nFinFET, Journal of Semiconductors, 2020, 41(12): 122102, EI

[7] Jiangwei Cui, Qiwen Zheng, Xuefeng Yu, Zhongchao Cong, Hang Zhou, Qi Guo, Lin Wen, Ying Wei and Diyuan Ren, Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2014, 35(07): 56-59, EI

[8] Jiangwei Cui, Yaoguo Xue, Xuefeng Yu, Diyuan Ren, Jian Lu, Xingyao Zhang, Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, Journal of Semiconductors, 2012, 33(1): 014006, EI

[9] Jiangwei CuiXuefeng YuDiyuan RenChengfa HeBo GaoMing LiJian Lu, Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2011, 32(6): 064006, EI

[10] Jiangwei Cui, Qiwen Zheng, Bingxu Ning, Xuefeng Yu, Kai Zhao, Ying Wei, Wu Lu, Chengfa He, Diyuan Ren, Fang Yu, Liewei Xu, Qi Guo, Hot-Carrier Effect on TID Irradiated Short-Channel UTTB FD-SOI n-MOSFETs, 2018, 2018 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW), EI

代表性专利:

授权发明专利,崔江维,郑齐文,魏莹,孙静,余学峰,郭旗,陆妩,何承发,任迪远,一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法,ZL201711329107.0

研究领域:

微电子学与固体电子学

研究领域: