姓 名: 郭旗
性 别:
职 务:
职 称: 研究员(自然科学)
通讯地址: 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码: 830011
电子邮件: guoqi@ms.xjb.ac.cn

简历:

  郭旗,中国科学院“特聘核心骨干”,二级研究员,博士生导师,中国科学院大学教授,中国电子学会会士,享受国务院政府特殊津贴,现任中科院新疆理化所固体辐射物理研究室主任。 

主要研究领域: 

  主要从事电子元器件电离辐射效应、损伤机理、试验评估方法等研究。主持国家等课题20余项,发表论文200余篇,申请及授权国家发明专利30余项。获新疆维吾尔自治区科技突出贡献奖1项,科技进步一等奖4项,二等奖1项,三等奖2项。获新疆维吾尔自治区先进工编辑、最美科技工编辑,中国电子学会优秀科技工编辑,中国科学“朱李月华”优秀教师等荣誉称号。 

  现任新疆核学会理事长,中国核学会理事,辐射物理分会常务理事,核电子学与核探测技术分会常务理事,中国仿真学会集成微系统建模与仿真专委会委员。
主要荣誉:

1.新疆维吾尔自治区先进工编辑 

2.新疆维吾尔自治区“最美科技工编辑” 

3.中国电子学会优秀科技工编辑 

4.中国科学院朱李月华优秀教师 

代表性文章:

[1]Li, YD; Liu, BK; Wen, L; Wei, Y; Zhou, D; Feng, J; Guo, Q.Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal[J].Radiation Physics and Chemistry, 2021. 

[2]Cai Yu LongWen LinLi YudongGuo Qi*Feng jieZhou DongZhang XiangLiu BingkaiFu Jing. Single-Event effects in pinned photodiode CMOS image sensors: SET and SEL [J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020. 

[3]Bingkai LiuYudong Li*Lin WenDong ZhouJie FengXiang ZhangYulong CaiJing FuJiawei ChenQi Guo. Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors[J]. Results in Physics, 2020, 19:103443. 

[4]Qiwen Zheng,Jiangwei Cui, Liewei Xu, Bingxu Ning, Kai Zhao, Mingjie Shen,Xuefeng Yu, Wu Lu, Chengfa He, Diyuan Ren, and Qi Guo. Total ionizing dose responses of forward body bias ultra-thin body and buried oxide FD-SOI transistors[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science,2019. 

[5]Zhang Xiang,Li Yudong, Wen Lin,Zhou Dong,Feng Jie,Ma Lin-Dong,Wang Tian-Hui, Cai Yulong,Wang Zhiming,Guo Qi*. Radiation effects due to 3 MeV proton irradiations on back-side illuminated CMOS image sensors [J].Chinese Physics Letters, 2018. 

研究领域:

1固体辐射物理

2、微电子与光电子器件辐射效应

3、空间辐射剂量在轨测量