姓 名: 陆妩
性 别:
职 务:
职 称: 研究员(自然科学)
通讯地址: 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码: 830011
电子邮件: luwu@ms.xjb.ac.cn

简历:

  陆妩,女,汉族,九三社员,理学硕士,十大网赌网址新世纪-网赌平台安全正规研究员,博士生导师,新疆大学兼职教授;中国电子学会会士;中国电子学会可靠性分会委员;新疆核学会理事;2011年,芬兰Aalto大学微纳电子科学与技术学院高级访问学者; 

  

主要研究领域以及成就: 

长期从事微电子器件和电路的辐射效应、损伤机理、评估方法及抗辐射加固技术的研究,先后主持并承担该领域国家863、国家重点自然科学基金等研究课题30余项;在国内外核心期刊发表学术论文230余篇,获批国家标准3项;曾获得新疆维吾尔自治区技术发明一等奖1项,中科院、新疆自治区科技进步一等奖4项、二等奖1项、三等奖2项,中国辐射物理领域十大科技创新进展奖1 

  

主要荣誉: 

  曾荣获中国电子学会会士(2020年)、中国电子学会优秀科技工编辑2018年)、中国科学院朱李月华优秀教师” (2012年)、九三学社全国优秀社员”(2012年)、新疆自治区“优秀博硕士论文引导教师”(201020112013年)新疆自治区巾帼建功标兵”(2009年)等荣誉。 

  

代表性文章: 

1.Ruiqin Zhang, Qiwen Zheng, Wu Lu*,  et.al,1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation”Radiation Effects and Defects in Solids2022176,(12)1-14 

2.YU Xin, LU Wu*, LI Xiaolong,  et.al, Total Ionizing Dose Effect and Failure Mechanism of Digital Signal ProcessorChinese Journal of Electronics 2021305):986-990. 

3.Si-Yuan ChenXin YuWu Lu*et.alEffects of Total-Ionizing-Dose Irradiation on Single-Event Burnout for Commercial Enhancement-Mode AlGaN/GaN High-Electron Mobility TransistorsCHIN.PHYS.LETT. 2020374):046101 

4.Shanxue XiQiwen Zheng, Wu Lu*, et.al,  Modeling of TID-induced leakage current in ultra-deep submicron SOI NMOSFETs, Microelectronics Journal, doi.org/10.1016/j.mejo.2020.104829. 

5.Mohan Liu , Wu Lu*, Xin Yu , et.al Mechanism of Degradation Rate on the Irradiated Double-Polysilicon Self-Aligned Bipolar Transistor Electronics, 2019, 8(6): 657-1-8 

6.Xiaolong Li, Wu Lu*, Qi Guo, et.alTemperature-Switching During Irradiation as a Test for ELDRS in Linear Bipolar Devices IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019,66(1):  199-206. 

7.Shuai Yao, Wu Lu*, Xin Yu, et.al Synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139 Journal of Nuclear Science and Technology, 2019, 56(2): 172-178. 

8.Shuai Yao, Wu Lu*, Xin Yu, et.alSynergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139, Journal of Nuclear Science and Technology, 2019, 56(2): 172-178. 

9.Qiwen Zheng , Jiangwei Cui, Wu Lu, et.alTotal Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019666: 892-898 

10.Xiao-Long Li, Wu Lu*, Xin Wang, et.alEstimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanism using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistorChinese Physics B,2018,Vol.273: 036102-1-9 

  

研究领域: 

  

物理学类其他专业 

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