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论 文
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发表年度
电离辐照Si-SiO2的电子能谱深度剖析
核技术
刘昶时
1990
水凝胶中吸取剂量分布的测量
核技术
靳涛
1990
用PIXE—PIGE方法作多元素同时分析
核技术
吴士明
1990
用共振核反应27Al（P．γ）28Si和SOS样品的研究质子在固体Si中能损的因素异形效应
核技术
马忠权
1990
由边界脉冲产生的孤立波解
计算物理
常谦训
1990
MOS场效应晶体管的电离辐射效应
抗核加固
高文珏
1990
MOS电容和MOSFET辐照相关性及其退火的研究
抗核加固
严荣良
1990
Γ辐照后MOS结构的耐温性退化
抗核加固
余学峰
1990
高压偏移栅MOS电离辐照特性研究
抗核加固
赵元富
1990
CoMnNiO非晶薄膜的退火性质
科技通报
秦东
1990
合金成分能谱无标样定量分析中背底的确定
科技通讯
康雪雅
1990
扫描电镜图象质量及影响因素
科技通讯
康雪雅
1990
MOS器件沟道边缘辐照寄主漏电
科技通讯（乌鲁木齐）
吾勤之
1990
CMOS器件电离辐射损伤等效研究中损伤敏感性的确定
科技通讯（乌鲁木齐）
何承发
1990
MOS场效应晶体管的电离辐照效应
科技通讯（乌鲁木齐）
高文钰
1990
γ辐照后MOS结构的耐温性退化
科技通讯（乌鲁木齐）
余学峰
1990
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